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半導体における強電界現象とトランジスタ高周波における等価回路 / 半導体研究振興会編
東京 : 日本工業経済連盟 , 1964.7
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半導体におけるトンネル効果とその応用 : 半導体レーザとその測定 / 半導体研究振興会編
東京 : 産報 , 1967.3
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3
トランジスタとICのパッシベーション / 半導体研究振興会編
東京 : 産報 , 1967.3
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4
エピタキシャル成長 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1969.3
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5
レオタキシャル成長 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1969.3
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6
ガン発振とナダレ発振 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1970.3
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11
不純物制御された完全結晶 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1975.3
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12
化合物半導体の完全性 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1976.3
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13
超高周波発振 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1977.7
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14 . 超LSI技術 ; 1
微細加工 / 半導体研究振興会編
東京 : 工業調査会 , 1977.12
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15巻 . 超LSI技術 ; 2
回路設計 / 西澤潤一編著
東京 : 工業調査会 , 1978.4
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16巻, 19巻, 22巻 . 超LSI技術 ; 3, 6, 9
半導体プロセス / 西澤潤一編
[その1],その2,その3. - 東京 : 工業調査会 , 1979.8-1985.8
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17巻 . 超LSI技術 ; 4
プロセス評価 / 西澤潤一編
東京 : 工業調査会 , 1981.6
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| 14 |
18巻 . 超LSI技術 ; 5
LSIの将来技術 / 西澤潤一編
東京 : 工業調査会 , 1982.5
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20 . 超LSI技術 ; 7
プロセスの基礎 / 西沢潤一編
東京 : 工業調査会 , 1983.8
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21巻 . 超LSI技術 ; 8
プロセスの低温化 / 西澤潤一編
東京 : 工業調査会 , 1985.3
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23
化合物半導体の結晶成長と完全性 / 西澤潤一編
東京 : 工業調査会 , 1985.8
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24巻 . 超LSI技術 ; 10
超LSI回路とプロセス / 西澤潤一編
東京 : 工業調査会 , 1986.8
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25, 27, 29, 31, 33, 35, 37, 39巻
化合物半導体の結晶成長と評価 / 西澤潤一編
[その1] - その8. - 東京 : 工業調査会 , 1986.8-
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| 20 |
26, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40-46巻 . 超LSI技術 ; 11-24
デバイスとプロセス / 西澤潤一編
[その1] - その14. - 東京 : 工業調査会 , 1987.8-
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